未來3年場效應管價格及市場走勢如何，一起來看看

近幾年來，全球半導體產值從2016年的衰退3%至3,656億美元，2017年后又開始強勁復蘇，Garnter預估2018年全球半導體產值將成長至4744億美元，年增約8%，其中場效應管增長較為穩健。

近幾年中國在芯片和半導體研發投入在不斷地提升，從2012年的約80億美金增長到2017年的180億美金，預計未來五年的增速會在13%左右，大概是全球半導體產業增速的3倍左右，是全球GDP增速的6倍左右。

預計國內未來三年分立器件增速平穩，約7.8%左右，到2020年市場規模約在3100億元左右。

中國整體芯片和集成電路市場國產化不斷提升，預計2019-2023年國產比例會進一步提升到約50%。在分立器件領域，中國產品替代性強，并擁有很大的出口潛力，隨著中美貿易戰的影響加深，預計功率器件國產替代率會進一步提升。

2018年中國功率MOSFET市場規模26.39億美元，占據全球67.12億元市場規模的39.3%，中國場效應管市場前十一大企業共占據82.2%的市場空間，其中中國資本收購的外國企業Nexperia位列第八，占據3.2%的市場份額，中國企業士蘭微位列第十，占據2.5%，二者合計為5.7%。中國MOSFET市場需求量與中國企業供給量存在巨大差距，場效應管國產廠家品牌整體市場占比較低，國產替代空間還是比較大的。

功率器件中，場效應管占比最高，但是近年來IGBT需求增長最快。隨著高鐵，新能源汽車的發展，預計未來IGBT需求會非常強勁，IGBT未來幾年的發展快于其他功率器件的增長！

MOSFET應用領域非常廣泛，從家電到數碼設備，從工業智能設備到玩具，都需要用到場效應管，場效應管的市場需求還是比較大的，預計未來場效應管價格將長期保持穩定。

預計國內場效應管2019年市場規模約80億美元（550億人民幣）。由于中美貿易戰提升了關稅，進口場效應管價格升高，加上美國對華為的禁令，促使國家加快這方面的研發和投入，預計國產化率未來會不斷提高。國內知名場效應管品牌深圳市通順達科技，計劃利用這一市場形勢，加大研發，將為市場提供更多國產替代器件。